国内厂商开发出DRAM内存芯片新技术,内存芯片,芯片-智能制造网

国内厂商开发出DRAM内存芯片新技术

导读：据问芯报道，在中国国际半导体技术大会CSTIC 2022中，芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技术的3D 4F² DRAM架构问世。

　　EUV光刻机是研制先进芯片的一条路径，但并非唯一解。

　　对于国内厂商来说，当前在3D NAND闪存的发展上，就因为不需要EUV机器，从而找到了技术追赶的机会。

　　而在DRAM内存芯片领域，尽管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可来自浙江海宁的芯盟则开辟出绕过EUV光刻的新方案。

　　据问芯报道，在中国国际半导体技术大会CSTIC 2022中，芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技术的3D 4F² DRAM架构问世。

　　他指出，基于HITOC技术所开发的全新架构3D 4F² DRAM芯片，最大特点是不需要用到EUV光刻机，也不需要多重图形曝光SAQP（Self-Aligned Quadruple Patterning）步骤，这可以大幅减少成本，更重要的是，避免了设备被国外制造商卡脖子。

　　所谓HITOC，即Heterogeneous Integration Technology on Chip的缩写，就是运用先进的晶圆对晶圆和晶粒对晶圆混合键合制造工艺，将不同类型的晶圆或晶粒上下对准贴合，以实现真正的三维异构单芯片集成。