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国产半导体设备公司中微：5nm以下芯片工艺开发中

导读：公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量产，同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖128层及以上关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。

　　在今天的年度业绩说明会上，国产半导体设备公司中微董事长尹志尧提到该公司正在开发新一代的刻蚀设备，可用于5nm以下的逻辑工艺、1Xnm的DRAM芯片和128层以上的3D NAND芯片等产品。

　　中微公司透露，公司积极关注下游市场扩产计划并努力争取各种可能的市场机会，公司的刻蚀设备在国内主要客户端市场占有率不断提升。

　　在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65nm到5nm等先进的芯片生产线上；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求，已开发出小于5nm刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。

　　公司目前正在配合客户需求，开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖5nm以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。

　　在3D NAND芯片制造环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量产，同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖128层及以上关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。

　　此外，公司的电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产，根据客户的技术发展需求，正在进行下一代产品的技术研发，以满足5nm以下的逻辑芯片、1Xnm的DRAM芯片和128层以上的3D NAND芯片等产品的ICP刻蚀需求，并进行高产出的ICP刻蚀设备的研发。

　　2021年，中微公司实现营业收入31.08亿元，同比增长36.72%；归属于母公司所有者的净利润10.11亿元，同比增长105.49%。