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ASML介绍新一代高NAEUV光刻机：芯片缩小1.7倍、密度增加2.9倍

导读：ASML发言人向媒体介绍，更高的光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍、同时密度增加2.9倍。未来比3nm更先进的工艺，将极度依赖高NA EUV光刻机。

　　按照业内预判，2025年前后半导体在微缩层面将进入埃米尺度(Å，angstrom，1埃 = 0.1纳米)，其中2025对应A14(14Å=1.4纳米)。

　　除了新晶体管结构、2D材料，还有很关键的一环就是High NA(高数值孔径)EUV光刻机。根据ASML(阿斯麦)透露的最新信息，第一台原型试做机2023年开放，预计由imec(比利时微电子研究中心)装机，2025年后量产，第一台预计交付Intel。

　　Gartner分析师Alan Priestley称，0.55NA下一代EUV光刻机单价将翻番到3亿美元。

　　那么这么贵的机器，到底能实现什么呢？

　　ASML发言人向媒体介绍，更高的光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍、同时密度增加2.9倍。未来比3nm更先进的工艺，将极度依赖高NA EUV光刻机。

　　当然，ASML并不能独立做出高NA EUV光刻机，还需要德国蔡司以及日本光刻胶涂布等重要厂商的支持。

　　ASML现售的0.33NA EUV光刻机拥有超10万零件，需要40个海运集装箱或者4架喷气货机才能一次性运输完成，单价1.4亿美元左右。

　　去年ASML仅仅卖了31台EUV光刻机，今年数量提升到超100台。