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纳米终结半导体10年内进入埃米时代:靠ASML新EUV光刻机了

来源:快科技
2021/12/4 9:06:51
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导读:当前,量产的晶体管已经进入4nm尺度,3nm研发也已经冻结进入试产。
  当前,量产的晶体管已经进入4nm尺度,3nm研发也已经冻结进入试产。
 
  在11月于日本举办的线上ITF大会上,半导体行业大脑imec(比利时微电子研究中心)公布了未来十年的技术蓝图。
 
  据悉,2025年后,晶体管微缩化进入埃米尺度(Å,angstrom,1埃 = 0.1纳米),时间节点的规划是,2025年A14(14Å=1.4纳米)、2027年为A10(10Å=1nm)、2029年为A7(7Å=0.7纳米)。
 
  微观晶体管结构层面,imec试图在14Å节点使用Forksheet结构(p型和n型纳米片晶体管成对排列,类似于用餐的叉子),10Å节点试图采用CEFT结构,1纳米(10Å)以下计划采用原子形状的沟道,依赖Mo(钼)、W(钨)、X为硫、Se硒、Te(碲)等2D材料和High NA(高数值孔径)EUV光刻机来实现。
 
  说到High NA EUV光刻机(0.55NA),一号原型机(EXE:5000)将在2023年由ASML提供给imec的联合实验室,2026年量产,从而服务1nm及更前沿的节点。
 
  (原标题:纳米终结 半导体10年内进入埃米时代:靠ASML新EUV光刻机了)

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