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三星电子推出3纳米芯片制造工艺设计工具和技术

来源:TechWeb.com.cn
2021/11/22 16:19:44
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导读:根据此前消息,三星电子的3纳米制程工艺将采用GAA技术。
  11月22日消息,据国外媒体报道,上周六,三星电子推出了多款与3纳米芯片制造工艺相关、有助于强化代工生态系统战略的设计工具和技术。
 
  根据此前消息,三星电子的3纳米制程工艺将采用GAA技术。与基于FinFET技术的5纳米工艺相比,三星首个3纳米GAA工艺节点的性能将提升30%,功耗将降低50%,芯片面积将减少35%。
 
  今年10月份,三星电子宣布,它将于2022年上半年开始量产3纳米芯片,这一时间表将在台积电之前。据悉,台积电计划在2022年7月量产3纳米芯片。如果按照三星电子的计划,它将成为全球第一家量产3纳米芯片的代工厂。
 
  上周,外媒报道称,AMD和高通可能将成为三星3纳米芯片制程工艺的首批客户。
 
  (原标题:三星电子推出3纳米芯片制造工艺设计工具和技术)

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