恩智浦半导体宣布实现5G新突破！
- 来源：千家网
- 2021/7/1 13:43:52
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恩智浦半导体表示，已宣布将氮化镓(GaN)技术集成到其多芯片模块平台中，从而成为5G能效的重要行业里程碑。基于该公司在亚利桑那州的GaN晶圆厂(美国前沿的射频功率放大器专用晶圆厂)的投资，恩智浦率先推出了面向5G大规模MIMO的射频解决方案，该解决方案将GaN的高效率芯片模块与多通道器件的紧凑性相结合。
降低能源消耗是电信基础设施的一个主要目标，每个效率点都很重要。在多芯片模块中使用 GaN可将2.6 GHz的产品线效率提高至52%，比公司上一代模块高8个百分点。恩智浦通过在单个器件中专有的LDMOS和GaN组合进一步提高了性能，提供400MHz的瞬时带宽，从而可以使用单个功率放大器设计宽带无线电。
这种能效和宽带性能现在可在恩智浦5G多芯片模块的小尺寸中实现。新产品组合将使RF开发人员能够减小无线电单元的尺寸和重量，帮助移动网络运营商降低在蜂窝塔和屋顶上部署5G的成本。在单个封装中，这些模块集成了多级传输链、50欧姆输入/输出匹配网络和Doherty组合器——恩智浦现在正在使用其新的SiGe技术添加偏置控制。这一新的集成步骤消除了对单独模拟控制IC的需求，并提供了更严格的功率放大器性能监控和优化。
恩智浦无线电电源业务线执行副总裁兼总经Paul Hart表示：“恩智浦开发了一个专门用于5G基础设施的独特技术工具箱，其中包括专有的LDMOS、GaN和SiGe，以及先进的封装和射频设计IP。 “这使我们能够利用每个元素的优势，并针对每个用例以较佳方式将它们组合起来。”
(原标题：恩智浦半导体宣布实现5G 重大里程碑突破)
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