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国产芯工艺追上Intel!中芯:第二代FinFET年底将小批量试产

来源:快科技
2020/12/7 8:59:48
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导读:据科创板日报报道称,中芯的第二代FinFET已进入小量试产。
  据科创板日报报道称,中芯的第二代FinFET已进入小量试产。
 
  科创板中芯在互动平台表示,公司第一代FinFET14纳米已于2019年四季度量产;第二代FinFETN+1已进入客户导入阶段,可望于2020年底小批量试产。
 
  此外,中芯方面还重申,目前公司营运和采购如常。
 
  其实去年11月就曾有消息称,中芯已经启动了14nm FinFET工艺芯片的量产,且计划2019年年底前进行12nm FinFET的风险试产。
 
  按照中芯当时在2019年Q3季度财报公布的情况,公司第一代FinFET已成功量产,四季度将贡献有意义的营收;第二代FinFET研发稳步推进,客户导入进展顺利。
 
  12nm工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微,功耗降低20%、性能提升10%,错误率降低20%。
 
  前不久,中芯在互动平台上也表示,目前公司正常运营,公司和美国相关政府部门等进行了积极交流与沟通。
 
  公司客户需求强劲,订单饱满,第三季度产能利用率接近满载。展望2020年全年,公司的收入目标上修为24%至26%的年增长。全年毛利率目标高于去年。

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