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涨价潮引发产业泡沫中国或解存储器市场之渴

来源:中国智能制造网
编辑:未闻花名
2017/8/18 8:34:55
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导读:纵观整个市场行情,自2016年下半年进入供不应求态势以来,集成电路存储器DRAM总体市场依旧维持增长势头。而由涨价潮引发的市场泡沫日益显现,中国或有望帮市场解渴。
  【中国智能制造网 市场分析】纵观整个市场行情,自2016年下半年进入供不应求态势以来,集成电路存储器DRAM总体市场依旧维持增长势头。而由涨价潮引发的市场泡沫日益显现,中国或有望帮市场解渴。
 
  近年来,随着移动通信、物联网、智能制造等领域的快速发展,存储器产品的应用市场也随之逐步开拓,市场需求越来越大。
 
  目前,存储器市场大的产品种类有DRAM和NANDFlash两种。DRAM市场规模约410亿美元,三星、SK海力士、美光、东芝等存储器巨头垄断95%以上的市场。而NANDFlash受益于智能手机和SSD的兴起而达到300亿美元左右,几乎全部被三星、SK海力士、东芝、闪迪、美光等企业垄断,市占率约为99%。
 
  纵观整个市场行情,自2016年下半年进入供不应求态势以来,集成电路存储器DRAM总体市场不仅没有出现降价的迹象,反而依旧维持增长势头。
 
  在市场竞争格局方面,国内市场一直面临着被三星、SK海力士、美光、东芝等存储器巨头所垄断的局面,虽然国内政府与企业不断加大对存储器产品设计和制造领域的重视程度,但是由于国内技术的限制,国内存储器的发展一直比较缓慢。
 
  今年第二季度PC DRAM合约均价涨幅超10%,且来到27美元以后;随后7月份依旧维持上涨趋势。据集成电路产业专业研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)新研究显示,7月PC DRAM合约价持续上涨约4.6%。
 
  随着存储器供不应求情况改善、价格涨势趋缓的现象不断加剧,不少人忧心存储器市场是否真的好景不再。但是两家外资出面喊多,预测存储器会一路旺到2018年,美光(Micron)等将受惠。
 
  巴伦周刊两篇报导称,摩根士丹利(大摩)分析师 Joseph Moore 14 日报告称,他们和运算端客户谈话发现,存储器短缺情况好转,不过市场仍然畅旺,云端客户估计供给会一路吃紧到明年,今年第四季行动 DRAM 价格将续涨。此外,当前 DRAM 和 NAND 现货价走势持平,但是仍高于合约价。
 
  在各因素影响下,存储器市场泡沫逐渐显现。对此有观点表示,戳破存储器泡沫的方式就是增加供给,而中国企业目前正在大举进入存储器市场,并且取得了一定的成果,因此有望帮市场解渴。
 
  这一观点并非凭空想象。从近几年国内存储器市场发展情况来看,在国家大力扶持集成电路产业及芯片进口替代加快的趋势下,存储器行业迎来一轮蓬勃发展期。
 
  “晶圆厂预测”报告指出,2017年中国总计有14座晶圆厂正在兴建,并将于2018年开始装机。总计2017年中国将有48座晶圆厂有设备投资,支出金额达67亿美元。展望2018年,中国将有49座晶圆厂有设备投资,支出金额约100亿美元。由此来看,国内存储器的确拥有戳破会场泡沫的实力。
 
  随着中国本土存储芯片制造厂商的加快发展及国外半导体的大力投资,加上相变存储器的强势助力,一旦上述晶圆厂的产能全部释放或相变存储器能够广泛应用,或能够让中国一举成为半导体产业发展的者,进而打破当前由涨价潮引发的市场泡沫。

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