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高频信号用电感器 多层片式电感器
 TDK  MLK 纵向缠绕结构 系列
特点：将电感范围系旬化为1--33nH；采用Gigaspira积层结构后，实现了比MLG结构更高的自我共振频率，还能抑制GHz频段的Q的降低；是将高频用陶瓷材料和导电体材料积层，烧制而成的*单片式结构；没有方向性。
用于手机，高频模块（PA,VCO.FME等），蓝牙，无线局域网9W-LAN），超宽频带（UWB）,调谐器，以及其它移动通信领域的各种高频电路。
MLK1005S1N0、MLK1005S1N2、MLK1005S1N3、MLK1005S1N5、MLK1005S4N7、MLK1005S5N6、
MLK1005S6N8、MLK1005S12N、MLK1005S15N、MLK1005S27N、MLK1005S68N、MLK1005S82N、

TDK  MLG 横向缠绕结构 系列
特点：将电感范围系列化为0.3--390nH；是将高频用陶瓷材料和导电材料积层，烧制而成的*单片式结构。
用于手机，高频模块（PA,VCO.FME等），蓝牙，无线局域网9W-LAN），超宽频带（UWB）,调谐器，以及其它移动通信领域的各种高频电路。
MLG1005S0N3、MLG1005S0N6、MLG1005S1N0、MLG1005S1N5、MLG1005S2N2、MLG1005S2N7、
MLG1005S3N3、MLG1005S4N7、MLG1005S6N8、MLG1005S8N2、MLG1005S18N、MLG1005S22N、
MLG1005S24N、MLG1005S27N、MLG1005S68N、MLG1005S82N、MLG1005SR12、
MLG1608B1N0ST、MLG1608B1N2ST、MLG1608B2N2ST、MLG1608B3N9ST、MLG1608B5N6DT、
MLG1608B27NJT、MLG1608SR18JT、MLG1608SR22JT、MLG1608SR47JT、MLG1608SR82JT、
MLG1608S1R0JT、
（2）一般信号用 （多层·磁屏蔽）
MLF系列 MLF1608-J MLF2012-J MLF1005L MLF1608 MLF2012
特点：电感容差为±5%；焊接时的热应力为±3%，也得到了大幅度改善，比传统产品降低约1/3。
用于手机，汽车音响，调谐器，数字摄录机的信号处理等。
MLF1608DR10J、MLF1608DR12J、MLF1608DR22J、MLF1608DR39J、MLF1608DR68J、
MLF1608A1R0J、MLF1608A2R2J、MLF1608A3R3J、MLF1608A4R7J、MLF1608E6R8J、
MLF1608E8R2J、MLF1608E100J、
绕组型SMD电感器（线圈） 直流－直流转换用
SLF（闭合磁路）系列 电源用（绕组·磁屏蔽）
特点：是zui适用于电源系统的低直流电阻，大电流，节能型产品；因采用磁力屏蔽结构，所以可以实现高密度安装；底面为平直的低背型，可稳定地安装在电路板上；卷带包装，支持自动插入机。
用于手机，计算机，硬盘驱动器，其他各种电子设备。
SLF6025 系列 6.0×6.0×2.5mm（L×W×T）