STI5000C 分立器件测试仪-智能制造网

STI5000C 分立器件测试仪

供应商：: 科技测试公司

企业类型：: 其他

产品简介

美国STI5000C作为新一代分立器件测试仪，可以自动测试DIODE、MOSFET、IGBT等多种半导体分立器件的参数并生成特性曲线，在电源行业广泛应用研发、来料检验及失效分析等领域。

详细信息

供应美国STI5000C晶体管图示仪，洽谈。

：蔡鹏飞

：

：www.scitest.com.cn;

http://hi.baidu.com/phoenixhellfire/home

测试范围：
1．二极管 Diode      2.．稳压（齐纳）二极管   Zener
3．晶体管                  Transistor（NPN型/PNP型）
4．可控硅整流器（普通晶闸管）         SCR
5．双向可控硅（双向晶闸管）           TRIAC
6．MOS场效应管                  Power MOSFET（N-沟/P-沟）
7．结型场效应管           J-FET （N-沟/P-沟，耗尽型/增强型）
8. 三端稳压器         REGULATOR（正电压/负电压，固定/可变）
9．绝缘栅双*功率晶体管             IGBT（NPN型/PNP型）
10.光电耦合器            OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）
11.光电逻辑器件                        OPTO-LOGIC
12.光电开关管                    OPTO-SWITCH
13.达林顿阵列
14.固态过压保护器                      SSOVP
15.硅触发开关                          STS
16.继电器                              RELAY（A、B、C型）
17.金属氧化物压变电阻                  MOV
18.压变电阻                            VARISTO
19.双向触发二极管                       DIAC

解决方案：

Voltage: 1KV Standard, 2KV Optional Current: 1NA to 50A, 100A Optional Optional（5300HX）:20PA Optional（5300HX）: 500/1000/1200A Resolution: 1MV 0.1NA, 0.1 Milliohm RDSON Optional（5300HX）: 1PA

标准特性曲线: Mosfet （N-Channel & P-Channel） ID vs. VDS at range of VGS ID vs. VGS at fixed VDS IS vs. VSD RDS vs. VGS at fixed ID RDS vs. ID at several VGS IDSS vs. VDS Transistor （NPN & PNP） HFE vs. IC BVCE（O,S,R,V） vs. IC BVEBO vs. IE BVCBO vs. IC VCE（SAT） vs. IC VBE（SAT） vs. IC VBE（ON） vs. IC （use VBE test） VCE（SAT） vs. IB at a range of IC VF vs. IF