PMST-3500V 大功率分立器件测试设备
产品简介
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半导体分立器件特性参数测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应;通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成,过程既复杂又耗时,还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的蕞佳工具之一是半导体分立器件静态测试系统,普赛斯大功率分立器件测试设备集多种测量和分析功能一体,可晶准测量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,皮安级电流晶准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。
普赛斯功率器件静态测试系统特点和优势:
单台Z大3500V输出;
单台Z大1000A输出,可并联后Z大6000A;
15us的超快电流上升沿;
同步测量;
国标全指标的自动化测试;
系统指标
项目 | 参数 | |
集电极-发射极 | Z大电压. | 3500V |
Z大电流 | 6000A | |
精度 | 0.10% | |
大电压上升沿 | 典型值5ms | |
大电流上升沿 | 典型值15us | |
大电流脉宽 | 50us~500us | |
漏电流测试量程 | 1nA~100mA | |
栅极-发射极 | Z大电压 | 300V |
Z大电流 | 1A(直流)/10A(脉冲) | |
精度 | 0.05% | |
Z小电压分辨率 | 30uV | |
Z小电流分辨率 | 10pA | |
电容测试 | 典型精度 | 0.5% |
频率范围 | 10Hz~1MHz | |
电容值范围 | 0.01pF~9.9999F | |
温控 | 范围 | 25℃~150℃ |
精度 | ±1℃ |
测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等
更多有关大功率分立器件测试设备详情找普赛斯仪表专员为您解答,武汉普赛斯仪表有限公司,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。
未来,普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案,以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力,联合更多行业客户,共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。