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RS20N65F

产品描述

RS20N65F是瑞森采用平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品拥有较强的抗冲击能力，同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷，能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源，电源适配器、LED驱动等领域。

• VDS =650V，ID =20A

• RDS(ON)<0.42mΩ@ VGS =10V

• 抗冲击能力强

• 较低的导通电阻

• 通过UIS测试

产品优势：

新型的横向变掺杂技术，专有的功率MOS结构，高温特性优良。

产品特性：

超小内阻，结电容适中，散热性能好，高温漏电小，高温电压跌落小。

产品应用：

LED驱动，小家电，适配器，工业开关电源等。