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RSM120025Z

产品描述

RSM120025Z 是瑞森采用碳化硅MOS技术制造的N-沟道SiC MOSFET，该产品拥有较强的抗冲击能力，优良的温度特性和开关特性。能使应用效率得到提升，及节省空间、减轻重量及减少零件数量，并增强系统可靠性。广泛应用于车载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源（UPS）等各种工业和汽车领域。

• VDS =1200V，ID =90A

• RDS(ON)<34mΩ@ VGS =20V

• 抗冲击能力强

• 良好的温度特性

• 良好的开关特性

产品优势：

基于国家军标生产线研制生产，工艺稳定，质量可靠。

产品特性：

高频率、高功率、高效率、低导通电阻。

产品应用：

太阳能逆变器，高压DC/DC变换器，电机驱动，UPS电源，开关电源，充电桩等。