GeminiSEM GeminiSEM 场发射扫描电子显微镜
产品简介
详细信息
GeminiSEM系列场发射扫描电子显微镜具有出色的探测效率，能够轻松地实现亚纳米分辨成像。无论是在高真空还是在可变压力模式下，更高的表面细节信息灵敏度让您在对任意样品进行成像和分析时都具备更佳的灵活性，为您在材料科学研究、生命科学研究、工业实验室或是显微成像平台中获取各种类型样品在微观世界中清晰、真实的图像，提供灵活、可靠的场发射扫描电子显微镜技术和方案。
GeminiSEM 系列产品:高对比度、低电压成像的场发射扫描电子显微镜
蔡司GeminiSEM 系列产品具有出色的探测效率，能够轻松地实现亚纳米分辨成像。无论是在高真空还是在可变压力模式下，更高的表面细节信息灵敏度让您在对任意样品进行成像和分析时都具备更佳的灵活性，为您在材料科学研究、生命科学研究、工业实验室或是显微成像平台中获取各种类型样品在微观世界中清晰、真实的图像，提供灵活、可靠的场发射扫描电子显微镜技术和方案。
运用GeminiSEM系列产品，您可轻松获取真实世界中任意样品出色的图像和可靠的分析结果.
l GeminiSEM 500 具有出色的分辨率，在较低的加速电压下仍可呈现给您更强的信号和更丰富的细节信息，其创新设计的NanoVP可变压力模式，甚至让您在使用时拥有在高真空模式下工作的感觉；
l GeminiSEM 450 具有出色的易用性设计、更快的响应和更高的表面灵敏度，使其能快速、灵活、可靠地对样品进行表面成像和分析，充当您的得力助手；
l GeminiSEM 300 具有出色的分辨率、更高的衬度和更大且无畸变的成像视野，可方便地选取适合样品的真空度等环境参数，使FESEM初学者也能快速掌握；
产品特点
更强的信号，更丰富的细节
GeminiSEM 500 为您呈现任意样品表面更强的信号和更丰富的细节信息，尤其在低的加速电压下，在避免样品损伤的同时快速地获取更高清晰度的图像。
l 经优化和增强的Inlens探测器可高效地采集信号，助您快速地获取清晰的图像，并使样品损伤降至更低；
l 在低电压下拥有更高的信噪比和更高的衬度，二次电子图像分辨率1 kV达0.9nm，500 V达1.0 nm，无需样品台减速即可进行高质量的低电压成像，为您呈现任意样品在纳米尺度上更丰富的细节信息；
l 应用样品台减速技术-（Tandem decel），可在1 kV下获得高达0.8nm二次电子图像分辨率；
l 创新设计的可变压力模式-NanoVP技术，让您拥有身处在高真空模式下工作的感觉。
更高的速度与灵敏度，更*的成像和分析
GeminiSEM 450更快的响应和更高的表面灵敏度使其能快速、灵活、可靠地对样品进行表面成像和分析，简便、快速地进行EDS能谱和EBSD等分析，同时保持出色的空间分辨率，充当您的得力助手。
l 在EDS能谱和EBSD分析模式下仍保持高分辨率的成像，在低电压条件下工作时更为优异；
l 可快速地对样品进行大范围及高质量成像；
l 经优化的电子光学镜筒，减少了工作过程中进行重新校准的复杂流程，节省成像时间，提高工作效率；
l 无论是不导电样品、磁性样品或是其他类型的样品，无论是高真空或是可变压力模式，均可实现快速和高质量的成像和分析.
更灵活的成像方式
无论是用户还是初学者，GeminiSEM 300将让您体验到在更高的分辨率和更佳的衬度下进行*大视野范围成像的乐趣，并且在高真空或是可变压力模式下都可以实现。
l 得益于高效的信号采集系统和优异的分辨率性能，可实现快速、高质量、无畸变的大范围成像；
l 创新设计的高分辨率电子枪模式，为对磁性样品、不导电样品以及电子束敏感样品的低电压成像量身订制解决方案；
l 蔡司独树*帜的镜筒内能量选择背散射探测器，在低电压下也可轻松地获得高质量的样品材料衬度图像；
l NanoVP技术让您可以使用镜筒内Inlens二次电子探测器对要求苛刻的不导电样品进行高灵敏度、高分辨成像。
技术参数
型号 | GeminiSEM 500 | GeminiSEM 450 | GeminiSEM 300 |
热场发射电子枪，稳定性优于0.2 %/h | |||
加速电压 | 0.02 - 30 kV | ||
探针电流 | 3 pA - 20 nA | 3 pA - 40 nA | 3 pA - 20 nA |
（100 nA配置可选） | （100 nA或300 nA配置可选） | （100 nA配置可选） | |
存储分辨率 | **达32k × 24k 像素 | ||
放大倍率 | 50 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 |
标配探测器 | 镜筒内Inlens二次电子探测器 | ||
样品室内的Everhart Thornley二次电子探测器 | |||
可选配的 项目 | 镜筒内能量选择背散射探测器 | ||
- | 角度选择背散射探测器 | 角度选择背散射探测器 | |
环形STEM探测器（aSTEM 4） | |||
EDS能谱仪 | |||
EBSD探测器(背散射电子衍射) | |||
NanoVP可变压力模式 | |||
高效VPSE探测器（包含在NanoVP可变压力选件中） | |||
局部电荷中和器 | |||
可订制特殊功能样品台 | |||
环形背散射电子探测器 | |||
阴*射线荧光探测器 | |||
Gemini电子光学系统
Gemini 1 –成熟的Gemini技术概览
场发射扫描电子显微镜具有更高的分辨率，离不开其性能优异的电子光学镜筒。蔡司Gemini技术专为对任意样品进行高分辨成像设计，尤其在低电压下保持完整和高效的探测系统、出色的分辨率和易用性等特点。
蔡司Gemini电子光学镜筒具有以下三个主要特点
蔡司Gemini物镜的设计结合了静电场和磁场，在提高其电子光学性能的同时将它们对样品的影响降至更低。无漏磁物镜设计，可以对如磁性材料等*具挑战的样品同样地进行高品质成像；
蔡司Gemini电子束推进器技术，让电子束经过加速后以高电压通过镜筒，最终再减速至设定电压后进入样品仓，很大程度地减小电子束的像差，保证了在非常低的加速电压下仍可获得小束斑和高信噪比；
蔡司Gemini 镜筒的设计理念将Inlens二次电子（SE）和背散射电子（BSE）探测器均放置在镜筒内正光轴上，使两者均具有更高的信号采集效率且可以同时成像，有效的缩短了获取图像的时间，更*地提高工作效率。
蔡司Gemini技术优势能为您提供以下便利：
经校准后的镜筒具有长期的稳定性，您在日常使用时只需要简易地设定基本的参数，如加速电压、探针电流等；
无漏磁的物镜设计，可对包括磁性样品在内的各类型样品进行无畸变、高分辨率的成像；
Inlens二次电子探测器具有高效的SE 1信号采集效率，给您呈现来自样品*表面的真实形貌图像；
镜筒内能量过滤背散射探测器以其创新的设计理念，使您在低电压下可获得高分辨率、高衬度、以及更真实的样品材料衬度图像。
Gemini 1类型镜筒 -延续创新和发展
如今，扫描电子显微镜（SEM）在低电压下的高分辨成像能力，已成为其在各项应用领域中的标准配置。
低电压下的高分辨率成像能力，在以下应用领域中扮演着尤为重要的角色：
电子束敏感样品
不导电样品
获取样品*表面的真实形貌信息
Gemini的革新电子光学设计，应用高分辨率电子枪模式、Nano-twin lens物镜(GeminiSEM 500)、以及Tandem decel样品台减速技术（选配），有效提高了在低电压时的信号采集效率和图像衬度。
Gemini 2类型镜筒-出色的综合性能，为您所欲为
要实现对任意样品都能进行高质量的测试和表征，扫描电子显微镜必须在成像和分析方面都具备优异的性能，同时能给用户简单易用的操作体验。如今，Gemini 2镜筒可满足您在这些方面的各种需求：
GeminiSEM 450 配置双聚光镜的Gemini 2类型电子光学镜筒；
在确保获得出色的小电子束斑的同时，束流连续可调；
可在低束流的高分辨率成像与高束流的分析模式之间进行无缝切换；
调整工作参数后无需对电子束进行重新校准，为您节约时间，提高仪器效率；
操作灵活易用，高电子束能量密度下的高分辨率成像，低束流分析，高束流分析等各类不同的工作模式，*切由您而定；
物镜无漏磁设计，在大视野范围成像和EBSD分析中不会引起畸变，确保获得样品高质量的图像；
出色、稳定的电子光学镜筒，对各种类型的样品都能简单快速的进行高分辨率成像，即使在使用中样品需要倾斜，甚至是对磁性样品进行成像；
P搭载局部电荷中和器或NanoVP可变压力模式，有效地消除样品的表面荷电，让您在出色参数下对样品进行成像和分析。
NanoVP可变压力模式-更丰富的细节，更灵活的适用性
NanoVP可变压力模式技术，为您提供对不导电样品成像**的解决方案，更大程度地发挥镜筒内Inlens探测器高性能和高分辨率的优异性能：
消除不导电样品的表面荷电现象；
NanoVP可变压力技术有效地减小电子束展宽，确保在可变压力模式中发挥镜筒内Inlens探测器的优异性能，获得高分辨率的图像，可变压力范围可高达150 Pa；
因此，即使是在可变压力模式下，镜筒内Inlens二次电子探测器和EsB背散射探测器仍可同时成像，助您获得样品*表面的高分辨形貌图像和更高衬度的背散射图像；
样品室内同时搭载VPSE探测器，可对要求更为苛刻的样品在高达500 Pa的压力下进行高质量成像。