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美高森美推出同级Z佳低电容瞬态电压抑制二极管

来源:
2015/11/10 14:49:43
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导读:新型1N8149至1N8182和1N8149US至1N8182US表面安装低电容TVS二极管产品在10/1,000微秒下具有150W脉冲峰值功率,具有zui大值仅为4pF的极低电容。
  致力于在电源、安全、可靠和性能方面提供差异化半导体技术方案的供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)发布*的全新超低电容功率瞬态电压抑制(TVS)二极管产品系列。新器件充分利用公司在高可靠性TVS技术领域的50年传统优势和*的射频(RF)PIN二极管专门技术,以保护高速数据线路和其它应用,这些应用的电容量严苛要求,大大超过用于保护以太网及速率不高于500Mbit/s的数据接口的其它典型低电容TVS器件。
    
  新型1N8149至1N8182和1N8149US至1N8182US表面安装低电容TVS二极管产品在10/1,000微秒下具有150W脉冲峰值功率,具有zui大值仅为4pF的极低电容。150W TVS二极管的性能等同于在8/20微秒下提供高于1,000W的脉冲峰值功率,以及6.8V至170V电压范围。新器件还符合依照IEC61000-4-2、IEC61000-4-5和RTCA-DO160标准规范的工业和航空电子静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和较低雷击威胁水平要求。美高森美正在开发在10/1,000微秒下具有较高500W额定功率的低电容TVS产品,以克服更高电压瞬变威胁。
  
  美高森美功率分立和模块业务部门总监兼业务部门Leon Gross表示:“朝向飞机电气化、更高可靠性和更高燃油效率的发展趋势正在增强,推动了对于功能日益强大而且更轻和更小,并提供出色瞬态过电压保护功能的TVS解决方案的需求。从需求的角度来看,总体保护器件市场很可能于2018年达到10亿美元。美高森美作为高可靠性解决方案的,将继续进行全系列创新产品开发以支持不断演进的严苛行业需求。”
  
  美高森美公司的TVS二极管可在雷击之后不超过数纳秒的时间内进入雪崩击穿状态以钳制瞬态电压并将电流导引到地面,从而为飞机和其它电气系统提供极为关键的保护功能。
  
  美高森美:在TVS器件领域继续保持
  
  美高森美TVS器件已经部署于世界各地日常使用的主要商业世界飞机,还用于多种引擎控制单元和激励器控制,以及各种配电、环境控制、通信和仪表系统。
  
  1N8149至1N8182和1N8149US至1N8182US表面安装TVS系列的主要特性包括:
  
  在10/1000微秒下达到150W脉冲峰值功率
  
  在8/20微秒下达到1,000W脉冲峰值功率
  
  电容:<4pF
  
  符合MIL-PRF-19500标准要求,根据JANTXV等级进行筛选
  
  击穿电压:6.8V至170V
  
  外观:ROHSe3和none3
  
  无卤素

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