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覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS

来源：
2015/11/5 17:10:43
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导读：*的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA两个频段的大功率330WLDMOS，器件型号为PXAC203302FV。该器件适用于1880-2025MHz频段，可以用于基站多载波射频功率放大器。
　　的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA两个频段的大功率330WLDMOS，器件型号为PXAC203302FV。该器件适用于1880-2025MHz频段，可以用于基站多载波射频功率放大器。PXAC203302FV采用非对称Push-Bull结构，载波功放130W，峰值功放200W，在非对称Doherty功放中可以实现更高的效率。
　　
　　PXAC203302FV特性：
　　
　　宽带内部输入、输出匹配
　　
　　适用于非对称Doherty设计：Main:130W,Peak:200W
　　
　　28V，2025MHz，Doherty结构CW测试性能
　　
　　输出P1dB=250W，效率=55%，Gain=16dB
　　
　　可以承受10:1VSWR驻波比失配@28V，250W输出
　　
　　HumanBodyModelClass2(perANSI/ESDA/JEDECJS-001)
　　
　　内部集成ESD保护
　　
　　低热阻
　　
　　无铅，符合RoHS标准
　　
　　表1.PXAC203302FV射频性能
　　
　　图1.PXAC203302FVACPR&Eff
　　
　　图2.PXAC203302FVGain&Eff
　　
　　PXAC203302FV采用H-37275-4封装，整体尺寸仅为32.6mm×16.6mm，这为缩小板面积提供了便利。得益于英飞凌*的LDMOS制造工艺，PXAC203302FV具有良好的热性能、可靠性以及坚固耐用性。

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