Diodes高性能汽车霍尔效应闭锁
- 来源:
- 2015/7/29 11:02:42
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AH376xQ系列提供-40oC到+150oC的宽广温度范围,以及3V到28V的供电电压范围。这些器件具有低曲柄电压和过压偏移能力,可承受严峻的车用环境,确保操作稳健可靠。完善保护功能亦有助于加强工作稳定性,包括能够防止反向电源连接的低漏电闭锁二极管,可承受瞬态电压的输入和输出箝位电压,以及避免过载的输出电流限制功能。此外,器件的8kV静电放电能力可承受高达32V的负载突降。
新产品系列提供八种磁场操作选择和释放阈值(Bop和Brp),以满足多种应用对磁场强度及感测器与磁场之间距离的要求。Bop和Brp敏感度从zui高达+25G/-25G到zui低达+210G/-210G,还能保持引脚兼容性。这些器件采用行业标准SOT23及SIP3封装。其中AH3762Q/3Q/4Q/5Q同时提供SC59封装选择,具备SOT23封装所不能提供的反极性磁场检测能力。
AH376xQ霍尔效应闭锁集成电路利用10μs快速开机时间及3.75μs快速响应时间来缩短延迟时间并降低对易误差,提供性能。配备低温度系数的斩波稳定设计能尽量减少开关点偏移及加强应力承受能力。开漏极输出配置可进一步提高灵活性,藉着调节外部上拉电阻值满足应用的要求。
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