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英飞凌全新可控逆导型IGBT芯片

来源：
2015/6/26 11:17:00
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导读：
　　英飞凌科技股份公司今日发布一款采用可控逆导型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和续流二极管的6.5kV功率模块。新发布的这款RCDC(二极管可控逆导型IGBT)IGBT芯片，非常适合现代高速列车和高性能电力机车，以及未来的HVDC输电系统和传动装置。较之安装尺寸相同的前几代模块，采用RCDCIGBT的模块电流密度提高了33%，散热性能也有所增强。因此，它可以延长产品工作寿命并提高可靠性，进而zui大限度降低系统维护工作量。
　　
　　通过推出RCDCIGBT芯片，英飞凌进一步壮大其高性能6.5kVKE3IGBT产品的系列。该芯片的电流密度之所以能够得以提高，是因为它的正向和反向电流的有效硅面积都增加了，因而设计人员可以灵活提高系统输出功率，而无需以加大外形尺寸为代价。或者，利用其更高功率密度的优点，可以在保持功率不变的情况下减少IGBT并联数量，从而减小系统尺寸、减轻产品重量，并降低成本。
　　
　　英飞凌的RCDCIGBT，采用行业标准尺寸IHVA高绝缘封装，可轻松进行替换现有产品。除有助于提高功率密度外，IGBT和二极管的单片集成还可大幅改善二极管I2T值，以及IGBT和二极管热阻(Rth/Zth)。低热阻确保器件在整个工作温度范围内实现良好的散热性能。更低实际结温(Tvj)纹波，使器件有更长使用寿命，当使用二极管栅极控制时，可让设计人员通过权衡导通损耗和开关损耗来优化总体效率。

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