国内电压Z高IGBT芯片引*进水平
- 来源：
- 2014/3/4 11:47:41
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IGBT芯片，即“绝缘栅双极型晶体管芯片”，是新一代功率半导体器件。工作中，通过调整栅极电压的大小和极性，可改变相关控制器的开通与关闭。该产品广泛应用于轨道交通、智能电网、风力发电、太阳能发电、船舶驱动、电动汽车、工业变流、航空航天以及化工冶金等众多重要行业和领域，被誉为功率变流装置的“CPU”、绿色经济的“核芯”。
此前，我国掌握了低电压等级条件下IGBT芯片产品的研发、生产、封装等成套技术。但高电压IGBT芯片技术一直被英飞凌、ABB、三菱等少数几个国外企业垄断、控制。随着高速动车、大功率机车、智能电网等飞速发展，我国对高电压条件下的IGBT芯片需求猛增，成为zui大需求国。
南车时代在引进吸收的基础上，相继研发出具有*自主知识产权的3300伏、4500伏、6500伏IGBT芯片。据介绍，6500伏IGBT芯片是国内目前电压等级zui高超级芯片，与3300伏芯片相比，其功耗降低10%以上，功率提高25%以上，zui高工作温度可到150℃，可靠性更强、安全性能更高、应用范围更广。该产品研制成功，打破了国外在这一领域的技术封锁，*。
目前，南车时代投资15亿元建设的*IGBT芯片生产线已进入工艺调试阶段，预计明年上半年可以投产。届时，仅6500伏IGBT芯片一项，每年可为国家节约60亿元以上的采购成本。
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