台积电3nm半导体工艺细节公布：能耗性能大提升
- 来源：快科技
- 2020/4/20 9:06:38
- 24848
近日，台积电正式披露了其新3nm工艺的细节详情，其晶体管密度达到了破天荒的2.5亿/mm²！
作为参考，采用台积电7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸113.31mm²，晶体管密度103亿，平均下来是0.9亿/mm²，3nm工艺晶体管密度是7nm的3.6倍。这个密度形象化比喻一下，就是将奔腾4处理器缩小到针头大小。
性能提升上，台积电5nm较7nm性能提升15%，能耗提升30%，而3nm较5nm性能提升7%，能耗提升15%。
此外台积电还表示，3nm工艺研发符合预期，并没有受到疫情影响，预计在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。
工艺上，台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳，所以3nm依然会是FinFET晶体管技术。
但台积电老对手三星则押宝3nm节点翻身，所以进度及技术选择都很激进，将会淘汰FinFET晶体管直接使用GAA环绕栅极晶体管。
原标题：台积电3nm细节公布：2.5亿晶体管/mm² 能耗性能大提升
版权与免责声明：凡本网注明“来源：智能制造网”的所有作品，均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-智能制造网合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不
展开全部
热门评论