半导体产业获新突破国产化替代再进一步
- 来源：中国智能制造网
- 编辑：未闻花名
- 2017/10/25 9:04:15
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半导体产业获新突破 国产化替代再进一步
受惠于内存价格大涨带动半导体市场增长，Gartner预测，2017年半导体市场总营收将达到4111亿美元，较2016年增长19.7%。这是继2010年从金融危机中复苏且半导体营收增加31.8%之后，增长为强劲的一次。
Gartner表示看好明年市场仍维持增长。Gartner预测，2018年半导体市场可望增长4%，达到4274亿美元规模，继续创新高。在利好趋势下，国内半导体行业快速增长，带动半导体材料需求快速释放。
今年以来随着晶圆代工台积电开始量产10纳米制程，明年上半年更将跨入7纳米制程，且英特尔今年底前也将开始放量生产10纳米制程，三星明年也将进入8纳米LPP制程，晶圆厂对于设备需求正持续扩大。
业内人士表示表示，今年以来半导体设备支出维持在水位，同步带动设备概念股业绩创下新高。然而目前国内半导体材料绝大部分仍依赖进口，本土半导体材料厂商仅能满足约20%的需求，且大多为中低端材料。
要知道，材料产业处于集成电路制造环节的上游，材料的质量直接影响集成电路产品质量，材料的稳定供应也与企业生产进度绑定，甚至对集成电路产品的市场价格走势带来决定性影响。
不过近日我国在半导体制造材料制造设备方面有了新突破。相关消息表示，近日863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。
在国家863计划的支持下，由新疆天科合达蓝光半导体有限公司牵头，中科院物理研究所、半导体研究所、浙江大学等单位共同参与的研发团队成功研制了满足高压SiC电力电子器件制造所需的4-6英寸SiC单晶生长炉关键装备，形成了我国具有自主知识产权的4-6英寸SiC单晶生长炉关键装备体系。
所研制的4-6英寸通用型SiC单晶炉，实现了“零微管”(微管密度<1个/cm2)4英寸SiC单晶衬底和低缺陷密度的6英寸SiC单晶衬底的制备技术，掌握了相关外延工艺技术，生长出12μm、17μm、35μm、100μm等不同厚度的SiC外延晶片，并制备了1200V、1700V、3300V、8000V碳化硅二极管系列产品。目前已在市场上批量推广使用。
随着我国半导体产业相关技术不断获得新进展，中国半导体行业协会信息交流部主任任振川认为，未来三到五年中国集成电路产业预计将保持年均20%的增长，未来对半导体材料的需求巨大，国内半导体材料市场潜力巨大，未来几年中国半导体材料产业将迎来新一轮发展机遇，产业自给率有望逐步提升，国产化替代前景值得期待。
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